1) BGR circuit
pre sim을 돌렸을 때 -50~125 temp 사이에서 BGR_OUT 전압이 2mV정도의 변화를 가졌다.
안에 들어가는 amp는 기본 1stage opamp이다.
2) LDO circuit
LDO circuit으로 error amplifier는 5tr opamp를 사용하였다.
아래는 pre sim의 결과이다.
LDO PSRR : 41dB
LDO Gain, Phase : 38dB, 73deg
VOUT : 1.99V(1.2V가 목표이다.)
current : bias circuit과 opamp회로에 쓰이기 때문에 넉넉잡아 600u까지 흐를 수 있도록 설계하였다.
저항 값은 Vout = Vref(1+R1/R2)로 계산해서 설계하였고 Vref는 위의 BGR회로에서 나오는 28개의 BIAS중 2번째 BIAS전압을 선택해서 Vref로 넣어주었다.
3) Bias circuit
위에 적힌 bias는 처음 opamp를 설계했을 때 self bias에서 사용된 bias이다.
bias를 참고해서 bias circuit을 설계하였다.